激光诱导p-GaN掺杂对发光二极管性能改善的分析

• 作者: 张保平 薛正群 陈朝 黄生荣
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 激光诱导掺杂 GaN 老化 发光二极管
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 1268-1274
• 分类号: O4
• 语种: 中文

摘要

采用激光诱导掺锌的方法提高了常规GaN基外延片p-GaN层的空穴浓度,并将它制备成小功率白光发光二极管(LED).对其光电性能做了详细的测量并进行了加速老化实验和分析.结果表明,与常规LED相比,经过激光诱导p-GaN层掺锌LED的光电性能获得了明显改善:正向工作电压V_F从3.33 V降到3.13 V,串联电阻从30.27Ω降到20.27Ω,室温下衰退系数从1.68×10~(-4)降到1.34×10~(-4),老化1600 h后的反向漏电流从超过0.2μA降为不超过0.025μA,器件的预测寿命延长了41%.器件光电性能改善的主要原因是激光诱导掺锌使LED的p-型欧姆接触改善和热阻降低所致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈朝	厦门大学物理系	63	420	11.0	18.0
3	黄生荣		5	51	3.0	5.0
4	张保平	厦门大学物理系	21	95	5.0	9.0
6	薛正群	厦门大学物理系	2	37	2.0	2.0