磁控溅射法制备Ag掺杂p型ZnO薄膜的研究

• 作者: 何俊刚 傅刚 刘志宇 王莉 陈环
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化锌薄膜 银掺杂 P型半导体 磁控溅射 霍尔测试
• 年，卷（期）: 2010,（3）
• 所属期刊栏目: 技术专栏(先进工艺技术)
• 页码范围: 225-227,232
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.92
• 字数: 2136字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.03.007

摘要

采用磁控溅射法在石英玻璃基片上生长ZnO和ZnO:Ag薄膜.借助于SEM、XRD、霍尔测试、透射谱测试等方法,分析了O_2气氛下退火温度对薄膜结构和电学性能的影响.霍尔测试结果表明,Ag掺杂ZnO薄膜经过600℃的O_2气氛中热处理转变为P型电导.薄膜的XRD测试表明晶粒大小随退火温度升高而增大,所有薄膜样品只出现(002)衍射峰,呈现C轴取向生长.薄膜对可见光的透过率大于83%,其吸收限为378 nm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	傅刚	广州大学物理电子工程学院	53	174	8.0	11.0
2	王莉	广州大学物理电子工程学院	5	5	1.0	2.0
3	陈环	广州大学物理电子工程学院	27	89	6.0	8.0
4	刘志宇	广州大学物理电子工程学院	20	30	4.0	4.0
5	何俊刚	广州大学物理电子工程学院	2	5	1.0	2.0