ZrN扩散阻挡层与SiCON低k介质界面特性XPS研究

• 作者: 丁士进 张卫 张驰 徐赛生 杨春晓
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 界面 ZrN阻挡层 SiCON低介电常数薄膜 X射线光电子能谱
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 所属期刊栏目: 技术专栏(新型半导体材料)
• 页码范围: 105-108
• 页数: 4页
• 分类号: TN405.97
• 字数: 1422字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.02.002

摘要

对ZrN扩散阻挡层与SiCON低k介质(k=2.35)的界面特性进行了XPS分析.实验结果表明,刚淀积的样品中ZrN与SiCON薄膜之间有一定程度的相互扩散并形成界面区.在界面区内Zr与SiCON薄膜中O及N元素相互作用成键,表明ZrN/SiCON界面有良好的黏附性能.400℃退火后,除受表面氧化作用干扰的O和N元素外,未观察到界面中其他元素Zr,Si和C有新的扩散,说明界面稳定性很好.