GaN基多量子阱蓝光LED的γ辐照效应

• 作者: 曾祥华 杨义军 胡益培 金豫浙
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: GaN 发光二极管 γ辐照 辐照效应
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 1258-1262
• 分类号: O4
• 语种: 中文

摘要

本文用4×10~4Ci(1 Ci=3.7×10~(10)Bq)的~(60)Co源(剂量率2×10~5rad(Si)/h)对GaN基InGaN/GaN多量子阱蓝光LED进行5种剂量的γ射线的辐照实验.通过辐照前后蓝光LED的波长、色纯度、最大半峰宽(FWHM)和电流-电压(I-V)、电流-光通量(I-F)等电光学特性分析,得到γ射线对GaN基LED器件的辐照效应.结果发现,辐照后LED器件的发光一致性和均匀性变差,在20 mA工作电流下,最大剂量下器件发光强度衰减近90%,光通量衰减约40%,并得到器件的抗辐照能力的参数τ_0K_γ为4.039×10~(-7)rad·s~(-1),发现较低的正向偏压下(小于2.6 V)器件的饱和电流随辐照总剂量增大而增大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	金豫浙	扬州大学物理科学与技术学院	4	15	3.0	3.0
2	曾祥华	扬州大学物理科学与技术学院	57	143	6.0	10.0
3	胡益培	扬州大学物理科学与技术学院	4	28	3.0	4.0
4	杨义军	扬州大学物理科学与技术学院	12	44	3.0	6.0