高线性度Al_xGa_(1-x)N/Al_(y) Ga_(1-y)N/GaN高电子迁移率晶体管优化设计

• 作者: 周伟坚 周肖鹏 张胜 程知群 胡莎
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管 复合沟道 自洽求解 线性度
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 1252-1257
• 分类号: O4
• 语种: 中文

摘要

对新型复合沟道Al_xGa_(1-x)N/Al_y Ga_(1-y)N/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)进行了优化设计.从半导体能带理论与量子阱理论出发,自洽求解了器件层结构参数对器件导带能级以及二维电子气(2DEG)中载流子浓度和横向电场的影响.用TCAD软件仿真得到了器件的层结构参数对器件性能的影响.结合理论分析和仿真结果确定了器件的最佳外延层结构Al_(0.31)Ga_(0.69)N/Al_(0.04)Ga_(0.96)N/GaN HEMT.对栅长1μm,栅宽100μm的器件仿真表明,器件的最大跨导为300 mS/mm,且在栅极电压-2-1V的宽范围内跨导变化很小,表明器件具有较好的线性度;器件的最大电流密度为1300 mA/mm,特征频率为11.5 GHz,最大振荡频率为32.5 GHz.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	程知群	杭州电子科技大学电子信息学院射频电路与系统教育部重点实验室	54	172	6.0	10.0
2	张胜	杭州电子科技大学电子信息学院射频电路与系统教育部重点实验室	7	15	2.0	3.0
3	周肖鹏	杭州电子科技大学电子信息学院射频电路与系统教育部重点实验室	1	0	0.0	0.0
4	胡莎	杭州电子科技大学电子信息学院射频电路与系统教育部重点实验室	3	7	1.0	2.0
5	周伟坚	杭州电子科技大学电子信息学院射频电路与系统教育部重点实验室	3	2	1.0	1.0