ZnO:Al衬底上低温生长GaN薄膜

• 作者: 刘胜芳 吴爱民 宋世巍 杨智慧 秦福文 陈伟绩
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 掺铝氧化锌衬底 GaN薄膜 低温生长
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 页码范围: 299-303
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 3051字
• 语种: 中文

摘要

利用射频磁控溅射在普通玻璃上制备了(0002)择优取向的ZnO:Al薄膜.采用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术,在ZnO:Al薄膜衬底上沉积了厚度为320 nm的GaN薄膜.利用高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和光透射谱等表征方法,研究了沉积温度对GaN薄膜的结晶性、表面形貌和透射率的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	秦福文	大连理工大学三束材料改性重点实验室	40	235	8.0	14.0
2	吴爱民	大连理工大学三束材料改性重点实验室	38	263	10.0	15.0
3	陈伟绩	大连理工大学三束材料改性重点实验室	3	7	1.0	2.0
4	刘胜芳	大连理工大学三束材料改性重点实验室	2	6	1.0	2.0
5	杨智慧	大连理工大学三束材料改性重点实验室	2	6	1.0	2.0
6	宋世巍	大连理工大学三束材料改性重点实验室	5	6	2.0	2.0