Sb_2Te_3热电薄膜的离子束溅射制备与表征

• 作者: 张东平 梁广兴 范平 蔡兴民 郑壮豪
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 离子束溅射 Sb_2Te_3薄膜 热电材料 热处理
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 1243-1247
• 分类号: O4
• 语种: 中文

摘要

采用离子束溅射技术交替沉积Sb-Te-Sb多层薄膜后进行高真空热处理,直接制备Sb_2Te_3薄膜.利用X射线衍射(XRD)仪、霍尔系数测试仪、薄膜Seebeck系数测量系统对所制备的薄膜特性进行表征.XRD测量结果显示,薄膜的主要衍射峰与Sb_2Te_3标准衍射峰相同,在[101]/[012]晶向取向明显,存在较多的Te杂质峰;霍尔系数测试结果表明,薄膜为p型半导体薄膜,薄膜电阻率较低,其电导率接近于金属电导率,载流子浓度量级为10~(23)cm~(-3),具有良好的电学性能;Seebeck系数测量结果显示,薄膜具有良好的热电性能,在不同条件下制备的薄膜的Seebeck系数在7.8-62μV/K范围;在所制备的薄膜中,退火时间为6 h、退火温度为200℃的薄膜其Seebeck系数达到最大,约为62μV/K,且电阻率最小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	范平		2	9	2.0	2.0
2	郑壮豪		2	9	2.0	2.0
3	梁广兴		2	9	2.0	2.0
4	张东平		2	9	2.0	2.0