一种CMOS单片LDO线性稳压器的设计

• 作者: 刘海南 周玉梅 高雷声
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 线性稳压器 单片集成 高电源抑制比 RC补偿 单片集成低压差
• 年，卷（期）: 2010,（7）
• 页码范围: 723-726
• 分类号: TN433
• 字数: 2435字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.07.028

摘要

提出了一种单片集成的高电源抑制比LDO线性稳压器,主要应用于PLL中VCO和电荷泵的电源供给.该稳压器采用RC补偿方案,与其他补偿方法相比,RC补偿几乎不消耗额外电流.误差放大器采用折叠共源共栅结构,可以提供较高的电源抑制比,并且使得设计的LDO为两级放大器结构,有利于简化补偿网络.所设计的LDO在低频时电源抑制比(PSR)为一69 dB,在lMHz处的电源抑制比为-19 dB.采用0.35 μm工艺流片,测试结果表明,该LDO可以为负载提供70 mA的电流.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周玉梅	中国科学院微电子研究所	94	1031	16.0	28.0
2	刘海南	中国科学院微电子研究所	14	32	3.0	5.0
3	高雷声	中国科学院微电子研究所	2	3	1.0	1.0