直流磁控溅射制备太阳光谱选择性吸收TiN薄膜

• 作者: 付淑英
• 来源期刊: 太阳能学报
• 学科: 工学
• 关键词: 太阳光谱选择性吸收薄膜 磁控溅射 氮化钛(TiN) 吸收率 反射率
• 年，卷（期）: 2010,（9）
• 页码范围: 1146-1149
• 分类号: TB3
• 字数: 2131字
• 语种: 中文

摘要

以直流反应磁控溅射方法作为制备手段,选择Ti为靶材,以氩气作为工作气体、氮气为反应气体,在Si(111)基底上制备太阳光谱选择性吸收薄膜TiN,使之具有较好的光谱选择吸收特性.研究发现:在其它工艺参数保持不变的情况下,溅射气压在0.35～1.50Pa范围内,都能制备出(200)择优取向的立方相TiN.而当溅射气压为0.35Pa时沉积的薄膜致密、均匀,色泽金黄,膜厚为132nm,结晶性最好,电阻率最低为33.8μΩ·cm(接近块体氮化钛电阻率).在可见-近红外光区(波长400～1000nm)的平均吸收率α=0.83,最高红外反射率R=0.90.通过对膜层结构、膜厚、吸收率及反射率的分析,制备的TiN薄膜光谱选择性吸收特性良好,具有很高的应用价值.可用于太阳集热器的吸热表面,并可直接作为光热转换建筑材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	付淑英	韩山师范学院物理与电子工程系	5	9	2.0	3.0