p型GaN低温粗化提高发光二极管特性

• 作者: 徐晨 李建军 沈光地 邓军 邢艳辉 韩军
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 氮化镓 金属有机物化学气相沉积 原子力显微镜 X射线双晶衍射
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 1233-1236
• 分类号: O4
• 语种: 中文

摘要

利用金属有机物化学气相沉积技术在蓝宝石衬底上低温生长GaN:Mg薄膜,对不同源流量的GaN:Mg材料特性进行优化研究.研究表明二茂镁(CP_2Mg)和三甲基镓(TMGa)物质的量比([CP_2Mg]/[TMGa])在1.4×10~(-3)-2.5×10~(-3)范围内,随[CP_2Mg]/[TMGa]增加,晶体质量提高,空穴浓度线性增加.当[CP_2Mg]/[TMGa]为2.5×10~(-3)时获得空穴浓度与在较高温度生长获得的空穴浓度相当,且薄膜表面较粗糙.采用[CP_2Mg]/[TMGa]为2.5×10~(-3)的p型GaN层制备的发光二极管,在注入电流为20 mA时,输出光强提高了17.2%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐晨	北京工业大学电子信息与控制工程学院	63	295	9.0	13.0
2	沈光地	北京工业大学电子信息与控制工程学院	192	1444	18.0	29.0
3	邓军	北京工业大学电子信息与控制工程学院	57	219	7.0	10.0
4	韩军	北京工业大学电子信息与控制工程学院	39	181	7.0	11.0
5	李建军	北京工业大学电子信息与控制工程学院	52	234	7.0	12.0
6	邢艳辉	北京工业大学电子信息与控制工程学院	20	59	5.0	6.0