CdGeAs2单晶体的腐蚀研究

• 作者: 何知宇 朱世富 李佳伟 虞游 赵北君 陈宝军 黄巍
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: CdGeAs2晶体 化学腐蚀剂 蚀坑形貌 缺陷分析
• 年，卷（期）: 2010,（6）
• 页码范围: 1349-1352
• 分类号: O785
• 字数: 2161字
• 语种: 中文

摘要

报道了一种新型的CdGeAs2晶体择优腐蚀剂,配方为:H2O2(30%): NH4OH(含NH325%-28%): NH4Cl(5mol/L): H2O=1 mL: 1.5 mL: 1.5 mL: 2 mL.将经机械研磨、物理抛光和溴甲醇化学抛光处理后的表面平整无划痕的CdGeAs2晶片,在40 ℃下超声振荡腐蚀数分钟,采用金相显微镜和SEM进行蚀坑观察.结果表明,新型腐蚀剂对CdGeAs2晶体(204)和(112)晶面择优腐蚀效果显著,蚀坑取向一致,具有很强的立体感;(204)晶面蚀坑呈三角锥形,(112)晶面蚀坑呈五边形,从晶体结构上对蚀坑形成机理进行了分析讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱世富	四川大学材料科学系	151	840	14.0	20.0
2	赵北君	四川大学材料科学系	132	744	14.0	19.0
3	陈宝军	四川大学材料科学系	56	160	7.0	9.0
4	何知宇	四川大学材料科学系	69	221	8.0	11.0
5	黄巍	四川大学材料科学系	20	80	4.0	8.0
6	李佳伟	四川大学材料科学系	9	40	3.0	6.0
7	虞游	四川大学材料科学系	2	2	1.0	1.0