GaAs大功率器件内匹配技术研究

• 作者: 邱旭
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 内匹配技术 大功率 砷化镓场效应晶体管 大信号模型
• 年，卷（期）: 2010,（8）
• 页码范围: 780-783
• 分类号: TN386.3
• 字数: 2426字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.08.009

摘要

介绍了GaAs大功率器件内匹配技术的基本原理,包括匹配电路原理、内匹配元件的参数计算方法等.以C波段40 W大功率器件为例讲述了内匹配技术在GaAs功率器件设计中的应用.通过大信号建模获得大栅宽器件模型,通过ADS软件进行内匹配电路参数的优化计算.通过电路制作及调试,实现了大功率器件的性能.经测试,当器件Vds=9 V时,在5.2～5.8 GHz频段内,输出功率Po≥40 W,功率增益Gp≥9 dB.测量值和设计值基本吻合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邱旭	中国电子科技集团公司第十三研究所	5	12	2.0	3.0