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摘要:
通过对半导体桥(Semiconductor Bridge,SCB)装药条件下发火电压、发火电容及积分能量对点火时间影响的对比,结合不同点火条件下,桥体两端电压曲线、电流曲线和电流二次峰出现时间的比较,研究了斯蒂芬酸铅(LTNR)的半导体桥点火机理.试验发现特定的点火电路下,SCB点火时间存在一个临界值,且SCB等离子体形成的快慢直接影响点火时间.在充电电压从大到小的点火过程中,在桥与药剂之间存在2种不同的点火机理,在较高点火电压下为等离子体点火机理,在低电压为热点火机理.
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文献信息
篇名 斯蒂芬酸铅的半导体桥点火试验研究
来源期刊 兵工学报 学科 工学
关键词 电子技术 SCB点火时间 LTNR 点火机理
年,卷(期) 2010,(6) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 674-677
页数 分类号 TJ43
字数 2213字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 沈瑞琪 南京理工大学化工学院 171 1017 16.0 20.0
2 朱顺官 南京理工大学化工学院 69 437 10.0 18.0
3 冯红艳 南京理工大学化工学院 18 229 7.0 15.0
4 李燕 南京理工大学化工学院 71 783 15.0 25.0
5 张琳 南京理工大学化工学院 67 748 13.0 25.0
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研究主题发展历程
节点文献
电子技术
SCB点火时间
LTNR
点火机理
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
兵工学报
月刊
1000-1093
11-2176/TJ
大16开
北京2431信箱
82-144
1979
chi
出版文献量(篇)
5617
总下载数(次)
7
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