斯蒂芬酸铅的半导体桥点火试验研究

• 作者: 冯红艳 张琳 朱顺官 李燕 沈瑞琪
• 来源期刊: 兵工学报
• 学科: 工学
• 关键词: 电子技术 SCB点火时间 LTNR 点火机理
• 年，卷（期）: 2010,（6）
• 页码范围: 674-677
• 分类号: TJ43
• 字数: 2213字
• 语种: 中文

摘要

通过对半导体桥(Semiconductor Bridge,SCB)装药条件下发火电压、发火电容及积分能量对点火时间影响的对比,结合不同点火条件下,桥体两端电压曲线、电流曲线和电流二次峰出现时间的比较,研究了斯蒂芬酸铅(LTNR)的半导体桥点火机理.试验发现特定的点火电路下,SCB点火时间存在一个临界值,且SCB等离子体形成的快慢直接影响点火时间.在充电电压从大到小的点火过程中,在桥与药剂之间存在2种不同的点火机理,在较高点火电压下为等离子体点火机理,在低电压为热点火机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈瑞琪	南京理工大学化工学院	171	1017	16.0	20.0
2	朱顺官	南京理工大学化工学院	69	437	10.0	18.0
3	冯红艳	南京理工大学化工学院	18	229	7.0	15.0
4	李燕	南京理工大学化工学院	71	783	15.0	25.0
5	张琳	南京理工大学化工学院	67	748	13.0	25.0