AAO模板的湿法刻蚀研究

• 作者: 张海明 朱彦君 李育洁 胡国锋 邸文文 高波
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 多孔氧化铝 湿法刻蚀 磷酸 氧化铝纳米线
• 年，卷（期）: 2010,（6）
• 所属期刊栏目: 技术专栏(光刻技术)
• 页码范围: 531-533,576
• 分类号: TN305.7
• 字数: 2475字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.06.004

摘要

利用二次阳极氧化法制备多孔氧化铝(AAO)模板,然后用NaOH、磷铬酸和不同质量分数的H3PO4等溶液,对AAO模板进行湿法刻蚀.研究了刻蚀时间与AAO模板质量减少之间的变化关系.结果表明,质量分数为3%的H3PO4溶液是最为温和的刻蚀荆,它在刻蚀过程中AAO模板的质量减少跟刻蚀时间呈较好的线性关系.SEM测试表明,刻蚀后的AAO模板表面存在大量的氧化铝纳米线,它们是在刻蚀的过程中产生的,并影响着刻蚀速率.通过调节刻蚀时间,可实现对AAO模板的精确可控刻蚀,这对制备纳米器件具有重要意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张海明	天津工业大学理学院	55	265	7.0	14.0
2	高波	天津工业大学理学院	12	35	3.0	5.0
3	胡国锋	天津工业大学理学院	11	39	3.0	6.0
4	邸文文	天津工业大学理学院	1	3	1.0	1.0
5	李育洁	天津工业大学理学院	10	37	3.0	6.0
6	朱彦君	天津工业大学理学院	12	35	3.0	5.0