nc-Ge/SiO2薄膜的光发射和光吸收研究

• 作者: 吴志军 张培 王加贤 王燕飞 郭亨群
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 物理学
• 关键词: nc-Ge/SiO2薄膜 光吸收 发光机制 与氧相关的缺陷 射频磁控反应溅射技术
• 年，卷（期）: 2010,（11）
• 页码范围: 1067-1070
• 分类号: O484.41
• 字数: 2955字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.11.005

摘要

采用射频磁控反应溅射技术和后退火法制备了nc-Ge/siO2薄膜材料.采用X射线衍射仪(XRD)对薄膜的微结构进行测试,随着退火温度的升高,衍射峰的半高宽减小,表明Ge纳米晶粒的平均尺寸逐渐增大,发现经过1000℃退火后的薄膜具有三个明显的纳米锗衍射峰.鼻膜的傅里叶红外吸收谱表明,随着退火温度的升高,薄膜的红外吸收增强.室温下,测量了不同温度退火下薄膜的光致发光谱,观察到了紫外光、紫光和橙色光.而且不同退火温度的薄膜,其光致发光谱有所不同,理论上着重讨论了紫光和橙光的发光机制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王加贤	华侨大学信息科学与工程学院	81	268	9.0	12.0
2	郭亨群	华侨大学信息科学与工程学院	40	180	8.0	11.0
3	吴志军	华侨大学信息科学与工程学院	17	33	3.0	4.0
4	王燕飞	华侨大学信息科学与工程学院	6	5	2.0	2.0
5	张培	华侨大学信息科学与工程学院	6	10	2.0	2.0