微波磁场和斜入射对介质表面次级电子倍增的影响

• 作者: 王建国 蔡利兵
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 高功率微波 磁场 斜入射 次级电子倍增
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 所属期刊栏目: 流体、等离子体和放电
• 页码范围: 1143-1147
• 分类号: O53
• 语种: 中文

摘要

分别研究了微波磁场和斜入射微波电场对介质表面次级电子倍增的影响.利用particle-in-cell/Monte Carlo方法,获得了微波磁场和斜入射微波电场条件下电子数量、介质表面直流场、电子平均能量和介质表面吸收功率的时间变化图像.模拟结果表明,斜入射和微波磁场虽然会显著影响电子的平均能量,但对电子数量和介质表面吸收功率的影响并不大,因此不会对微波介质表面击穿产生太大作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王建国		123	908	14.0	23.0
3	蔡利兵		15	91	6.0	8.0