直拉法硅单晶生长时晃动的分析及控制

• 作者: 何国君 孙新利 李巨晓 王飞尧
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 硅单晶 晃动 单摆 晶转 直拉法
• 年，卷（期）: 2010,（11）
• 页码范围: 1083-1086
• 分类号: O782.5
• 字数: 2691字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.11.009

摘要

晃动是直拉法硅单晶生长中的常见现象.晃动会导致晶体生长控制系统出现异常,提拉速度波动幅度大,同时还引起熔体对流的不稳定以及杂质微观扩散的紊乱.这不仅对硅单晶的无位错生长造成一定的困难,而且对硅单晶的品质有十分不利的影响.分析了直拉硅单晶生长时晃动的影响因素.利用MATLAB软件及现有振动激励下的单摆动力学模型对CG6000型单晶炉进行单晶晃动的理论计算,理论上分析了各参数变化对单晶晃动的影响.在此基础上提出了改变晶体转速的工艺来控制单晶晃动及晶体形变的方法,并总结了若干减少晶体晃动的措施.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李巨晓		2	13	2.0	2.0
2	王飞尧		2	7	2.0	2.0
3	孙新利		2	7	2.0	2.0
4	何国君		2	7	2.0	2.0