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基于磁控溅射技术的CrCN镀层中碳元素的存在状态
基于磁控溅射技术的CrCN镀层中碳元素的存在状态
作者:
李洪涛
胡鹏飞
蒋百灵
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
磁控溅射
CrCN镀层
X衍射
X射线光电子能谱
碳键
摘要:
采用闭合场非平衡磁控溅射离子镀技术在单晶硅(111)衬底上沉积了CrCN镀层,研究了不同C靶电流CrCN镀层的摩擦系数、碳含量和物相组成,并分析了镀层中碳元素的化学态.结果表明:当C靶电流从.增大到1.5 A时,镀层摩擦系数从0.75降至0.3,随着C靶电流的增大,镀层中碳含量呈非线性增大,增速呈从大到小再到大的变化规律.X射线衍射分析表明,随着C靶电流增大,镀层由晶态向非晶态转变;X射线光电子能谱分析表明,碳元素主要以C-C,C-Cr,C-O键形式存在,且随着C靶电流增大,碳键中C-C键的比例也随之增大.
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篇名
基于磁控溅射技术的CrCN镀层中碳元素的存在状态
来源期刊
材料热处理学报
学科
工学
关键词
磁控溅射
CrCN镀层
X衍射
X射线光电子能谱
碳键
年,卷(期)
2010,(12)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
134-138
页数
分类号
TG178
字数
语种
中文
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1
蒋百灵
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胡鹏飞
西安理工大学材料科学与工程学院
6
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李洪涛
西安理工大学材料科学与工程学院
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磁控溅射
CrCN镀层
X衍射
X射线光电子能谱
碳键
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
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相关学者/机构
期刊影响力
材料热处理学报
主办单位:
中国机械工程学会
出版周期:
月刊
ISSN:
1009-6264
CN:
11-4545/TG
开本:
大16
出版地:
北京市海淀区学清路18号北京电机研究所内
邮发代号:
82-591
创刊时间:
1980
语种:
chi
出版文献量(篇)
6505
总下载数(次)
16
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