RPCVD生长SiGe薄膜及其性能研究

• 作者: 何自强 周旗钢 柳伟达
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 减压化学气相沉淀 锗硅 外延 应变薄膜 表面粗糙度 生长速率
• 年，卷（期）: 2010,（8）
• 页码范围: 791-793,822
• 分类号: TN304.1
• 字数: 2455字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.08.012

摘要

利用应用材料公司外延设备,在Si(001)衬底上,通过RPCVD方式生长出完全应变、无位错的SiGe外延层.通过X射线衍射和原子力显微镜测试技术,得到了外延层Ge摩尔分数、外延层厚度、生长速率以及表面粗糙度等参数,研究了运用RPCVD方法制备的应变SiGe外延层的生长特性以及薄膜特性.结果表明,在660℃所生长的薄膜,其XRD图像均出现了Pendelossung条纹,表明薄膜质量较好.Ge摩尔分数高达16.5%.薄膜表面粗糙度RMS在0.3～0.6nm.