磷扩散法制备高掺磷p型ZnO薄膜的磁控溅射工艺的探索

• 作者: 丁晓贵 丁瑞钦 曾庆光 朱慧群 陈毅湛 齐德备
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: p型ZnO薄膜 磷扩散法 磁控溅射工艺
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 页码范围: 490-493,510
• 分类号: O411
• 字数: 1919字
• 语种: 中文

摘要

在前期通过n+-Si衬底中的磷向沉积于其上面的ZnO薄膜的扩散制备高掺磷p型ZnO薄膜的研究基础上,探索了较有普遍应用意义的扩散法制备p型ZnO薄膜的磁控溅射工艺.结果表明,当磁控溅射的氧氩质量流量比与衬底温度满足特定的低阶指数函数的匹配关系时,所制备的ZnO薄膜为p型,而且薄膜中磷原子的深度分布是均匀的;另外,这种薄膜的厚度随着氧氩流量比的增加而减小,而薄膜中氧锌原子浓度比都大于1,比值大小与氧氩质量流量比和衬底温度有关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曾庆光	五邑大学薄膜与纳米材料研究所	46	155	7.0	9.0
2	朱慧群	五邑大学薄膜与纳米材料研究所	29	82	4.0	6.0
3	丁瑞钦	五邑大学薄膜与纳米材料研究所	29	115	6.0	9.0
4	陈毅湛	五邑大学薄膜与纳米材料研究所	11	13	2.0	2.0
5	丁晓贵	五邑大学薄膜与纳米材料研究所	2	4	1.0	2.0
6	齐德备	五邑大学薄膜与纳米材料研究所	2	4	1.0	2.0