GaAs PHEMT材料中2DEG浓度的控制与测试研究

• 作者: 吕晶 孙莹 杨瑞霞 武一宾
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 砷化镓赝配高电子迁移率晶体管 非接触霍尔测试 双平面掺杂 二维电子气面密度 霍尔测试
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 所属期刊栏目: 技术专栏(新型半导体材料)
• 页码范围: 116-120
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.07|TN304.054
• 字数: 2980字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.02.005

摘要

设计并使用分子束外延(MBE)方法制备了不同帽层厚度、不同掺杂浓度的双平面掺杂GaAs PHEMT外延材料,采用不同工艺手段控制InGaAs沟道异质结界面的平滑程度.采用非接触霍尔方法对样品二维电子气(2DEG)浓度及迁移率进行测试,并用范得堡法对实验结果加以验证.结果表明,平整异质结界面生长技术能有效控制高迁移率2DEG浓度分布;与范德堡法相比,非接触霍尔方法无破坏性、测试结果可靠,该结果可以用来分析多层结构的PHEMT外延材料中InGaAs沟道界面的生长情况.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨瑞霞	河北工业大学信息学院	180	759	13.0	18.0
2	武一宾	中国电子科技集团公司第十三研究所	19	39	4.0	4.0
3	吕晶	河北工业大学信息学院	2	12	2.0	2.0
4	孙莹	河北工业大学信息学院	3	13	2.0	3.0