La,V共掺杂的Bi_4Ti_3O_(12)铁电薄膜的溶胶-凝胶法制备及性能测试

• 作者: 于军 吴云翼 李佳 李建军 李玉斌 王梦 王耘波 高俊雄
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Bi_4Ti_3O_(12) 薄膜 Bi_(3.25)La_(0.75)Ti_(2.97)V_(0.03)O_(0.12)薄膜-溶胶-凝胶工艺 铁电性能
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 1302-1307
• 分类号: O4
• 语种: 中文

摘要

采用溶胶-凝胶(sol-gel)工艺在Pt/TiO_2/SiO_2/p-Si(100)衬底上制备出Bi_4Ti_3O_(12)(BIT)和Bi_(3.25)La_(0.75) Ti_(2.97) V_(0.03)O_(12)(BLTV)铁电薄膜,研究了La,V共掺杂对BIT薄膜的晶体结构和电学性能的影响.BIT薄膜为c轴择优取向,BLTV薄膜为随机取向,拉曼光谱分析表明V掺杂降低了TiO_6(或VO_6)八面体的对称性,也增强了Ti-O键(或V-O键)杂化.BLTV薄膜的剩余极化P,为25.4 μC/cm~2,远大于BIT薄膜的9.2 μC/cm~2,表现出良好的铁电性能.疲劳、漏电流测试显示BLTV薄膜具有优良的抗疲劳特性和漏电流特性,表明La,V共掺杂能有效地降低薄膜中的氧空位.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于军	华中科技大学电子科学与技术系	103	537	11.0	16.0
2	李建军	华中科技大学电子科学与技术系	235	1646	18.0	27.0
3	王耘波	华中科技大学电子科学与技术系	68	398	10.0	16.0
4	高俊雄	华中科技大学电子科学与技术系	44	248	8.0	13.0
5	李佳	华中科技大学电子科学与技术系	34	116	5.0	10.0
6	王梦	华中科技大学电子科学与技术系	9	32	3.0	5.0
7	李玉斌	华中科技大学电子科学与技术系	1	4	1.0	1.0
8	吴云翼	华中科技大学电子科学与技术系	3	6	1.0	2.0