氧化锌压敏电阻劣化过程中电容量变化的分析应用

• 作者: 孙涌 杜志航 杨仲江 陈琳
• 来源期刊: 高电压技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化锌压敏电阻 晶界 劣化 电容 漏电流 压敏电压
• 年，卷（期）: 2010,（9）
• 页码范围: 2167-2172
• 分类号: TM286
• 字数: 4910字
• 语种: 中文

摘要

因目前MOV型SPD劣化检测参数压敏电压U<,1mA>和漏电流I<,leakage>不能及时有效地判断MOV劣化程度,故研究一种能考量MOV劣化程度的方法尤其重要.根据影响MOV电容的主要因素以及晶界肖恩特基势垒变化、离子迁移理论等氧化锌压敏电阻的劣化机理,提出了氧化锌压敏电阻劣化过程中必然伴随电容量的变化.在不同的冲击实验下,对MOV型SPD进行劣化实验表明:MOV的电容量均随劣化程度增加而呈现上升趋势;在I<,N>标称值冲击下,MOV电容量随冲击次数近似线性上升.通过实验首次提出了电容量增幅具有考量MOV劣化程度的重要意义,同时证明:结合U<,1mA>、I<,leakage>和电容量3个参数能够更好地分析MOV内部劣化原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨仲江		71	650	15.0	22.0
3	陈琳		18	120	5.0	10.0
5	孙涌		5	116	5.0	5.0
6	杜志航	西安交通大学电气工程学院	6	98	4.0	6.0