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半导体釉-电瓷组合形式绝缘子串污闪特性试验分析
半导体釉-电瓷组合形式绝缘子串污闪特性试验分析
作者:
关志成
刘敏
张福增
王黎明
赵锋
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
电位分布
半导体釉
组合绝缘子串
盐密
污闪特性
泄漏电流
摘要:
针对半导体釉绝缘子存在的老化耗能问题,提出了半导体釉与普通电瓷绝缘子的组合方案(S-P组合绝缘子串).利用有限元方法对S-P组合绝缘子串进行了电位分析,进行了实际污秽闪络特性的试验,分析了这种组合形式绝缘子串的闪络过程,并与其它类型绝缘子进行了对比.试验结果表明:半导体釉绝缘子位于高压端的绝缘子串污闪特性优于其低压端污闪特性;单位绝缘长度和单位爬距的污闪电压,S-P组合绝缘子串低于半导体釉绝缘子,高于进行对比的电瓷绝缘子和一大一小复合绝缘子;维持半导体釉绝缘子表面污秽不变的情况下,普通绝缘子表面的污秽度提高,泄漏电流增大,S-P组合绝缘子串表面电位分布更均匀,产生的热量增加,抑制了沿面放电的产生,提高了污闪电压.
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绝缘子
污闪
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文献信息
篇名
半导体釉-电瓷组合形式绝缘子串污闪特性试验分析
来源期刊
高电压技术
学科
工学
关键词
电位分布
半导体釉
组合绝缘子串
盐密
污闪特性
泄漏电流
年,卷(期)
2010,(9)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
2101-2106
页数
分类号
TM721.1|TM216
字数
3229字
语种
中文
DOI
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
王黎明
清华大学深圳研究生院
268
4672
36.0
52.0
2
关志成
清华大学深圳研究生院
227
4753
35.0
53.0
3
刘敏
清华大学深圳研究生院
23
326
9.0
18.0
4
张福增
中国南方电网公司电网技术研究中心
6
105
5.0
6.0
5
赵锋
2
25
2.0
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1976(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
1981(1)
参考文献(1)
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二级参考文献(0)
2010(0)
参考文献(0)
二级参考文献(0)
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2012(3)
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2013(5)
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2017(9)
引证文献(3)
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2019(8)
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半导体釉
组合绝缘子串
盐密
污闪特性
泄漏电流
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研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
高电压技术
主办单位:
中国电力科学研究院
中国电机工程学会
出版周期:
月刊
ISSN:
1003-6520
CN:
42-1239/TM
开本:
大16开
出版地:
湖北省武汉市珞瑜路143号武汉高压研究所
邮发代号:
38-24
创刊时间:
1975
语种:
chi
出版文献量(篇)
9889
总下载数(次)
24
总被引数(次)
181291
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:
the National Natural Science Foundation of China
官方网址:
http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:
青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:
数理科学
国家重点基础研究发展计划(973计划)
英文译名:
National Basic Research Program of China
官方网址:
http://www.973.gov.cn/
项目类型:
学科类型:
农业
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