CCD纵向抗晕结构设计与优化

• 作者: 武利翻
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: CCD 光晕 纵向抗晕 器件仿真
• 年，卷（期）: 2010,（16）
• 页码范围: 172-174
• 分类号: TN915.43-34|TP212
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-373X.2010.16.054

摘要

为了抑制CCD图像传感器在强光照射时出现光晕和弥散现象,建立了CCD纵向抗晕结构模型,运用半导体器件数值模拟软件MEDICI,对建立的纵向抗晕CCD器件结构进行数值计算.结果表明:1PW层杂质浓度越低,电势越高,则电子势垒越低,则导入衬底的过量载流子越多,对应的抗晕能力越强.得到了CCD纵向抗晕结构的一种优化结构.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	武利翻		11	17	2.0	3.0