沉积法制备TaN薄膜的研究现状及其应用

• 作者: 吴玉山 杨建广 杨济豪 陈胜龙 高亮
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: PVD MOCVD ALD TaN薄膜 前驱体
• 年，卷（期）: 2010,（13）
• 所属期刊栏目: 材料综述
• 页码范围: 20-25
• 分类号: TB34
• 字数: 7218字
• 语种: 中文

摘要

TaN薄膜是一种重要的高新技术材料,主要介绍了物理气相沉积法(PVD)、金属有机化学气相沉积法(MOCVD)和原子层沉积法(ALD)制备TaN薄膜的工艺技术,评述了它们各自的优缺点.从前驱体的选择方面详细评述了MOCVD法和ALD法制备TaN薄膜的研究进展,比较和评述了各类前驱体的优缺点.总结了TaN薄膜的应用现状以及薄膜制备过程中的主要影响因素,并简要展望了其发展方向.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨建广	中南大学冶金科学与工程学院	57	544	15.0	21.0
2	高亮	中南大学冶金科学与工程学院	6	34	3.0	5.0
3	陈胜龙	中南大学冶金科学与工程学院	5	32	3.0	5.0
4	杨济豪	中南大学冶金科学与工程学院	3	8	1.0	2.0
5	吴玉山	中南大学冶金科学与工程学院	3	8	1.0	2.0