硅单结晶体管γ射线辐照电阻变化规律研究

• 作者: 何亮 包军林 杜磊 赵鸿飞
• 来源期刊: 电子科技
• 学科: 工学
• 关键词: 单结晶体管(UJT) γ射线 实时监测 基区电阻
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 所属期刊栏目: 光电·材料
• 页码范围: 33-35
• 页数: 3页
• 分类号: TN325
• 字数: 2740字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-7820.2010.02.010

摘要

对在γ射线辐照条件下的单结晶体管基区阻值进行了多点测量和实时监测.结果发现:单结晶体管基区电阻值随γ射线辐照剂量的增加,具有先减小后增大的规律.对比国内外相关实验结果,从γ射线与物质作用微观分析,证明位移效应是单结晶体管基区电阻在γ射线辐照下的主要效应,但它较电离效应具有一定滞后性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杜磊	西安电子科技大学大学技术物理学院	99	486	13.0	18.0
2	何亮	西安电子科技大学大学技术物理学院	36	212	7.0	14.0
3	包军林	西安电子科技大学大学微电子学院	43	306	10.0	16.0
4	赵鸿飞	西安电子科技大学大学技术物理学院	3	7	2.0	2.0