气相渗硅工艺制备KD-1 SiCf/SiC 复合材料及其性能研究

• 作者: 于海蛟 周新贵 王洪磊 罗征 赵爽
• 来源期刊: 材料工程
• 关键词: SiCf/SiC 气相渗硅 化学气相沉积
• 年，卷（期）: 2010,（11）
• 页码范围: 5-7,93
• 分类号: TB332
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-4381.2010.11.002

摘要

以国产KD-1型SiC纤维为增强体,采用化学气相沉积和酚醛树脂浸渍裂解获得两种碳源的多孔SiCf/C,通过气相渗硅工艺制备了KD-1 SiCf/SiC复合材料,对复合材料的微观结构和力学性能进行了研究.结果表明:不同碳源的多孔SiCf/C,经过气相渗硅得到SiCf/SiC复合材料的断裂韧性相差较大,分别为12.9,2.0MPa·m1/2.而对于酚醛树脂浸渍裂解制备的高孔隙率SiCf/C中间体,经过气相渗硅得到SiCf/SiC复合材料的密度及力学性能明显高于由低孔隙率SiCf/C得到的SiCf/SiC复合材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周新贵	国防科技大学新型陶瓷纤维及其复合材料国防科技重点实验室	93	1060	19.0	27.0
2	赵爽	国防科技大学新型陶瓷纤维及其复合材料国防科技重点实验室	5	26	3.0	5.0
3	于海蛟	国防科技大学新型陶瓷纤维及其复合材料国防科技重点实验室	12	109	6.0	10.0
4	王洪磊	国防科技大学新型陶瓷纤维及其复合材料国防科技重点实验室	11	46	4.0	6.0
5	罗征	国防科技大学新型陶瓷纤维及其复合材料国防科技重点实验室	3	7	2.0	2.0