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摘要:
本文介绍了一种新型半导体器件BOD的物理结构及特性,论述了BOD在晶闸管过电压保护应用中的典型电路设计及参数选择,最后通过TCR工程具体实例,给出实验结果。
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文献信息
篇名 TCR型SVC中BOD在晶闸管过电压保护的应用
来源期刊 变频器世界 学科 工学
关键词 BOD TCR 晶闸管 过电压保护
年,卷(期) 2010,(8) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 63-65
页数 3页 分类号 TP211
字数 语种
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王国强 19 0 0.0 0.0
2 邢金伟 2 0 0.0 0.0
3 王瑞舰 5 0 0.0 0.0
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2006(1)
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研究主题发展历程
节点文献
BOD
TCR
晶闸管
过电压保护
研究起点
研究来源
研究分支
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
变频器世界
月刊
1561-0330
大16开
深圳市南山区高新南区科苑南路中地数码大厦
1997
chi
出版文献量(篇)
10353
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44
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7713
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