一个对温度不敏感的高增益运算放大器设计

• 作者: 罗志聪 黄世震
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: 全差分运算放大器 负载电容 增益 相位裕度
• 年，卷（期）: 2010,（14）
• 页码范围: 4-6
• 分类号: TN710
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-373X.2010.14.002

摘要

功率放大器是大功率器件,其自身会消耗大部分的功耗,井导致功率放大器芯片的温度在一个很大的范围内变化,因此功率放大器的控制电路需要对环境温度的变化不敏感.针对这一要求,设计出一个对温度不敏感的全差分CMOS运算放大器,该运算放大器采用TSMC 0.18μm工艺,选用折叠式共源共栅、宽摆幅偏置电路结构.在负载电容为10 pF条件下,最大直流增益达到115 dBm,相位裕度为70°;在整个温度范围内(-40～+125℃)运算放大器的增益变化仅为1 dBm,相位裕度仅变化5°,满足设计要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄世震	福州大学福建省集成电路重点实验室	93	587	13.0	19.0
2	罗志聪	福建农林大学机电工程学院	15	36	3.0	5.0