图形化SOI衬底上侧向外延生长GaN研究

• 作者: 张波 张苗 武爱民 王曦 罗杰馨 薛忠营 陈静 魏星
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: 氮化镓 绝缘体上硅 侧向外延
• 年，卷（期）: 2010,（7）
• 页码范围: 1208-1210
• 分类号: O782|O765
• 字数: 1969字
• 语种: 中文

摘要

采用MOCVD系统,在图形化的绝缘体上硅(SOI:silicon-on-insulator)衬底上侧向外延生长了GaN薄膜.利用SEM、TEM和Raman光谱对生长的GaN薄膜的质量进行了分析研究.研究发现,在GaN的侧向外延生长区域,侧向生长的GaN能够完全合并,GaN薄膜内的残余应力减小,穿透位错密度大幅度降低.