叠栅MOSFETs的结构设计与研究

• 作者: 张杰 徐太龙 柯导明 陈军宁 马强
• 来源期刊: 电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 叠栅MOSFET 阈值电压 栅氧化层电容 短沟道效应
• 年，卷（期）: 2010,（6）
• 所属期刊栏目: 电子元器件
• 页码范围: 81-83
• 分类号: TN62
• 字数: 2667字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0755.2010.06.033

摘要

通过分析设计,提出了一种新型结构的叠栅MOSFET,它的栅电容是由两个电容混联组成,所以它有较小的栅电容和显著的抑制短沟道效应的作用.模拟软件MEDICI仿真结果验证了理论分析的预言,从而表明该结构可用作射频领域.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	柯导明	安徽大学电子科学与技术学院	83	423	10.0	17.0
2	陈军宁	安徽大学电子科学与技术学院	160	1135	16.0	26.0
3	徐太龙	安徽大学电子科学与技术学院	23	59	5.0	5.0
4	马强	安徽大学电子科学与技术学院	5	5	1.0	2.0
5	张杰	安徽大学电子科学与技术学院	17	55	3.0	7.0