亚微米特征工艺尺寸静态随机存储器单粒子效应实验研究

• 作者: 何宝平 姚志斌 张凤祁 张科营 王园明 罗尹虹 郭红霞
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 静态随机存储器 多位翻转 重离子加速器
• 年，卷（期）: 2010,（12）
• 页码范围: 1498-1504
• 分类号: TN305.94
• 语种: 中文

摘要

利用中国原子能科学研究院重离子加速器,开展了不同特征尺寸(0.35～0.13μm)CMOS工艺、不同集成度(1M、4M、8M、16M)静态随机存储器(SRAM)单粒子翻转(SEU)和单粒子闩锁(SEL)实验研究,给出了SRAM器件的SEU、SEL截面曲线.与μm级特征尺寸的器件相比,随特征尺寸的减小,单粒子翻转更加严重.测量到了令人关注的单粒子多位翻转(MBU)效应,对翻转位数进行了统计分析.MBU对目前卫星系统采用的EDAC技术提出了挑战.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何宝平		46	291	9.0	13.0
2	罗尹虹		54	199	8.0	10.0
3	张凤祁		40	169	8.0	10.0
4	郭红霞		81	385	10.0	13.0
5	姚志斌		35	171	8.0	10.0
6	张科营		23	111	7.0	8.0
7	王园明		10	51	4.0	7.0