美光科技推出第三代低延时内存

• 来源期刊: 电源技术应用
• 学科: 工学
• 关键词: 内存技术 低延时 第三代 科技 网络基础设施 网络信息 移动应用 视频内容
• 年，卷（期）: 2010,（8）
• 页码范围: 73
• 页数: 1页
• 分类号: TP333

摘要

日前，美光科技（MicronTechnolgy，Inc）推出了第三代低延时DRAM（RLDRAMOR3内存）——一种高带宽内存技术，能更有效的传输网络信息。视频内容、移动应用和云计算的蓬勃发展，列网络基础设施提出了更高效的要求，以便在线传输大量数据。与前几代产品相比，美光新的RLDRAM3内存进一步提高了存储密度和速度，同时最大限度地减少了延迟，降低了功耗，在网络应用中性能更好。