硅气相浸渍反应制备SiC/C复合材料的研究

• 作者: 关堂新 王伟 金志浩
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: 多孔碳 气相浸渍 SiC陶瓷 反应机理
• 年，卷（期）: 2010,（12）
• 所属期刊栏目: 材料研究
• 页码范围: 26-28
• 分类号: TB3
• 字数: 2244字
• 语种: 中文

摘要

以滤纸和酚醛树脂为原料,经模压固化、碳化制备了具有三维不规则孔隙结构的多孔碳,再经过高温气相渗硅得到SiC/C复合材料.SEM结果表明,SiC/C复合体遗传了多孔碳前驱体的显微结构,同时SiC/C复合体具有较好的弯曲强度和气孔率.提出了一种简单的反应模型,对硅的气相反应和扩散过程进行了解释.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	金志浩	西安交通大学材料科学与工程学院	325	5024	34.0	51.0
2	王伟	长安大学环境科学与工程学院化工系	54	166	7.0	11.0
3	关堂新		17	34	4.0	4.0