反射式负电子亲和势GaN光电阴极量子效率衰减机理研究

• 作者: 乔建良 常本康 杜晓晴 牛军 邹继军
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 负电子亲和势 GaN光电阴极 量子效率 表面势垒
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 2855-2859
• 分类号: O4
• 语种: 中文

摘要

针对反射式负电子亲和势(NEA)GaN光电阴极量子效率的衰减以及不同波段对应量子效率衰减速度的不同,参照国外给出的NEA GaN光电阴极在反射模式下量子效率曲线随时间的衰减变化情况,利用GaN光电阴极铯氧激活后的表面模型[15aN(Mg):C8]:O-Cs,结合量子效率衰减过程中表面势垒的变化,研究了反射式NEA GaN光电阴极量子效率的衰减机理.有效偶极子数量的减小是造成量子效率降低的根本原因,表面Ⅰ,Ⅱ势垒形状的变化造成了不同波段对应的量子效率下降速度的不同.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	常本康	南京理工大学电子工程与光电技术学院	234	2020	19.0	30.0
2	邹继军	南京理工大学电子工程与光电技术学院	24	279	11.0	15.0
3	杜晓晴	重庆大学光电工程学院	26	198	9.0	12.0
4	乔建良	南京理工大学电子工程与光电技术学院	26	177	9.0	11.0
8	牛军	南京理工大学电子工程与光电技术学院	28	111	6.0	9.0