蓝宝石上GaN基多层膜结构椭偏研究

• 作者: 于奇 夏建新 杜江锋 杨谟华 罗谦 赵金霞
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 椭圆偏振光谱 InN Ga2O3
• 年，卷（期）: 2010,（5）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 878-880
• 分类号: O484.5|TN304.23
• 字数: 2408字
• 语种: 中文

摘要

对InN/GaN/Al2O3和Ga2O3/GaN/Al2O3多层膜结构进行了椭圆偏振光谱研究.所有GaN样品均采用MOCVD工艺在蓝宝石(Al2O3)衬底上生长所得.应用多层介质膜模型,在300～800nm测试波长范围内拟合得到了样品各层厚度和折射率色散关系,并与GaN单层膜色散关系相比较,分析了各层膜之间对自身折射率的影响.研究结果表明,InN和Ga2O3表面均存在一个粗糙层,采用有效介质近似模型可使拟合结果更为准确;相对于GaN单层膜结构,InN薄膜使其下面的GaN层折射率明显增大,这应与界面层态密度有关;而在300～400nm测试范围内,Ga2O3折射率出现反常色散现象,InN消光系数亦产生了一个强的吸收峰,这则可能与GaN层在360nm左右存在的一个强吸收(Eg≈3.4eV)有关.