静电纺丝技术制备Gd3Ga5O12:Eu3+多孔发光纳米带

• 作者: 刘桂霞 刘莹 王进贤 董相廷
• 来源期刊: 高等学校化学学报
• 学科: 化学
• 关键词: GGG:Eu3+ 纳米带 荧光粉 静电纺丝技术
• 年，卷（期）: 2010,（7）
• 页码范围: 1291-1296
• 分类号: O614.32|TB34
• 字数: 2940字
• 语种: 中文

摘要

采用静电纺丝技术制备了PVP/[Gd(NO3)3+Ga(NO3)3+Eu(NO3)3]复合纳米带,将其进行热处理,得到了Gd3Ga5O12:Eu3+(简称GGG:Eu3+)多孔发光纳米带.采用XRD,SEM,TEM,TG-DTA,FTIR和荧光光谱等技术对样品进行了表征.PVP/[Gd(NO3)3+Ga(NO3)3+Eu(NO3)3]复合纳米带为非晶态,经800 ℃焙烧8 h后,获得了单相石榴石型的GGG:Eu3+纳米带,属于立方晶系,空间群为Ia3d.复合纳米带表面光滑,尺寸均一,平均宽度约10 μm,厚度约为100 nm,彼此没有交联;经800 ℃焙烧后GGG:Eu3+多孔纳米带平均宽度约2.5 μm,厚度30 nm,长度大于500 μm,呈多孔网状多晶结构.当焙烧温度高于700 ℃时,复合纳米带中DMF、有机物和硝酸盐分解挥发完全,总失重率为93.1%.焙烧温度为800 ℃时,生成了纯净的无机氧化物.在254 nm的紫外光激发下,GGG:Eu3+纳米带发射出主峰位于591 nm的明亮红光,属于Eu3+的 5D0→7F1跃迁.对GGG:Eu3+纳米带形成机理进行了讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	董相廷	长春理工大学化学与环境工程学院	117	1166	18.0	27.0
2	刘桂霞	长春理工大学化学与环境工程学院	80	665	15.0	19.0
3	王进贤	长春理工大学化学与环境工程学院	107	978	17.0	24.0
4	刘莹	长春理工大学化学与环境工程学院	22	40	3.0	5.0