基于位线循环充电SRAM模式的自定时电路设计

• 作者: 刘博楠 马晨
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: 低位线电压摆幅 双模式自定时 复制电路 时序控制
• 年，卷（期）: 2010,（17）
• 页码范围: 199-201
• 分类号: TN710-34|TP274
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-373X.2010.17.061

摘要

随着集成电路的密度和工作频率按照摩尔定律所描述的那样持续增长,使得高性能和低功耗设计已成为芯片设计的主流.在微处理器和SoC中,存储器占据了大部分的芯片面积,而且还有持续增加的趋势.这使存储器中的字线长度和位线长度不断增加,增加了延时和功耗.因此,研究高速低功耗存储器的设计技术对集成电路的发展具有重要意义.对SRAM存储器的低功耗设计技术进行研究,在多级位线位SRAM结构及工作原理基础上,以改善SRAM速度和功耗特性为目的,设计了基于位线循环充电结构的双模式自定时SRAM,其容量为8K×32 b.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马晨	四川大学电气信息学院	4	4	1.0	1.0
2	刘博楠	四川大学计算机学院	2	1	1.0	1.0