绝缘子直流污闪时Hampton判据的适用性

• 作者: 律方成 徐志钮 李和明
• 来源期刊: 高电压技术
• 学科: 工学
• 关键词: 绝缘子 污闪 直流 Hampton判据 Obenaus模型 误差
• 年，卷（期）: 2010,（11）
• 页码范围: 2639-2644
• 分类号: TM216|TM855
• 字数: 3409字
• 语种: 中文

摘要

直流污闪模型中可用Hampton判据来获得闪络的临界弧长,但该方法在某情况下存在误差.因此分析了直流情况下基于Obenaus模型的污闪电压预测方法的原理,指出并证明了当不考虑弧根半径的影响时临界弧长仅与泄漏距离L和电弧参数n有关,而与其它因素无关,Hampton判据完全正确,并通过计算进行了验证.考虑弧根半径的影响时根据Hampton判据预测的直流污闪电压存在误差,其值略低于模型实际预测的污闪电压.分析了电弧参数A、n、等值盐密、泄漏距离、平均直径等因素对误差的影响,结果表明:随着A、n、等值盐密、泄漏距离的增加,相对误差减少;随着平均直径的增加,相对误差增大.当不考虑弧根半径的影响时应将L/(1+n)作为临界弧长以减少计算量,当考虑弧根半径的影响时应在O～L范围内搜索临界弧长以获得模型准确的污闪电压.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	律方成	华北电力大学生物质发电成套设备国家工程实验室	266	4998	37.0	55.0
2	李和明	华北电力大学生物质发电成套设备国家工程实验室	231	6023	39.0	65.0
3	徐志钮	华北电力大学生物质发电成套设备国家工程实验室	94	1002	18.0	27.0