半桥式逆变电路偏磁现象的分析与试验

• 作者: 从保强 许海鹰 黄松涛 齐铂金
• 来源期刊: 电力电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 逆变器 变压器 偏磁 磁饱和
• 年，卷（期）: 2010,（11）
• 页码范围: 104-106
• 分类号: TM464
• 字数: 2720字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-100X.2010.11.037

摘要

建立了主变压器磁通偏移的动态模型,分析了半桥式电路因正负脉冲宽度不一致导致的磁平衡与磁不平衡过程.通过开关管驱动脉冲差异试验获得了半桥电路从磁平衡状态到出现磁密饱和过程的完整波形,为研究逆变电路的偏磁机理提供了依据.试验发现偏磁饱和电流并不一定出现在导通脉宽大的一侧,利用所建立的动态模型对试验现象进行理论分析,所得分析结果与实际试验结果相符.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	齐铂金		158	1520	20.0	33.0
2	黄松涛		25	161	9.0	11.0
3	许海鹰		31	91	6.0	8.0
4	从保强		41	248	9.0	13.0