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摘要:
目前HVDC技术国产化过程中需要掌握的关键技术之一,是建立换流系统的宽频等效电路模型,分析阀塔过电压瞬态过程,而屏蔽罩寄生电容是宽频模型至关重要的参数,直接影响模型的正确性.为此,提出了一种基于间接边界元法的数值计算方法来计算屏蔽罩的寄生电容参数,在这种方法中,只需对导体表面进行剖分,无需离散整个场域,在求得导体表面法向电场强度后,即可得到导体系统的电容矩阵.针对国内某士500 kV直流换流站,应用该方法提取了屏蔽罩寄生电容,通过对比计算.研究了不同阀层屏蔽罩对电容参数的影响.确定了计算实际屏蔽罩寄生电容的仿真模型.为换流阀塔等大尺寸复杂金属结构的电容参数计算提供了一种便捷、可行的方法.
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文献信息
篇名 高压直流输电换流系统屏蔽罩寄生电容的数值计算方法
来源期刊 高电压技术 学科 工学
关键词 寄生电容 屏蔽罩 边界元法 提取 模型 复杂结构
年,卷(期) 2010,(12) 所属期刊栏目 电磁兼容与工程电磁场
研究方向 页码范围 2970-2975
页数 分类号 TM151.3
字数 2914字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王泽忠 华北电力大学高电压与电磁兼容北京市重点实验室 92 974 19.0 27.0
2 孙静 华北电力大学高电压与电磁兼容北京市重点实验室 8 99 5.0 8.0
3 刘士利 华北电力大学高电压与电磁兼容北京市重点实验室 4 84 4.0 4.0
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研究主题发展历程
节点文献
寄生电容
屏蔽罩
边界元法
提取
模型
复杂结构
研究起点
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相关学者/机构
期刊影响力
高电压技术
月刊
1003-6520
42-1239/TM
大16开
湖北省武汉市珞瑜路143号武汉高压研究所
38-24
1975
chi
出版文献量(篇)
9889
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24
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181291
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