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摘要:
针对在普通实验室和医院实现40-100 keV X射线相衬成像的需求,考虑到成像系统参数、X射线源空间相干特性及光栅衍射效率,设计出硅基相位光栅结构参数.利用我们已发展的光助电化学刻蚀技术研制出直径为5英寸的相位光栅,其空间周期为5.6 μm,线宽为2.8 μm,深度为40-70 μm.在理论分析的基础上,通过提高硅片两端有效工作电压和修正Lehmann电流密度公式,解决了实际刻蚀过程中出现的钻蚀问题.由实验结果可知,本方案对制作大面积高精度相位光栅十分有效.
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文献信息
篇名 硬X射线相位光栅的设计与研制
来源期刊 物理学报 学科 物理学
关键词 X射线 相衬成像 相位光栅 硅刻蚀 光助电化学刻蚀
年,卷(期) 2010,(10) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 6927-6932
页数 分类号 O4
字数 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 牛憨笨 深圳大学光电工程学院光电子器件与系统教育部重点实验室 71 772 13.0 25.0
2 郭金川 深圳大学光电工程学院光电子器件与系统教育部重点实验室 29 103 6.0 8.0
3 雷耀虎 深圳大学光电工程学院光电子器件与系统教育部重点实验室 7 23 3.0 4.0
4 刘鑫 深圳大学光电工程学院光电子器件与系统教育部重点实验室 9 33 4.0 5.0
5 赵志刚 深圳大学光电工程学院光电子器件与系统教育部重点实验室 6 11 2.0 3.0
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研究主题发展历程
节点文献
X射线
相衬成像
相位光栅
硅刻蚀
光助电化学刻蚀
研究起点
研究来源
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期刊影响力
物理学报
半月刊
1000-3290
11-1958/O4
大16开
北京603信箱
2-425
1933
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