N掺杂SnO2材料光电性质的第一性原理研究

• 作者: 于峰 张昌文 王培吉
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 电子结构 态密度 光学性质 介电函数
• 年，卷（期）: 2010,（10）
• 页码范围: 7285-7290
• 分类号: O4
• 语种: 中文

摘要

采用全电势线性缀加平面波(full potential linearized augmented plane wave method,简记为FP-LAPW)方法,基于密度泛函理论第一性原理计算分析N掺杂SnO2材料,研究了在N替代O原子和N替代Sn原子情况下的电子态密度、电荷密度分布以及光学性质.研究表明N掺杂替代Sn较之N掺杂替代O原子的带隙要宽,都宽于SnO2的本征带隙,且两种情况下N分别处于负氧化态和正氧化态,其介电函数谱也与带隙对应发生蓝移,从理论上指出了光学性质与电子结构之间的内在关系.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王培吉	济南大学理学院	55	321	11.0	13.0
2	张昌文	济南大学理学院	16	124	8.0	11.0
3	于峰	济南大学理学院	5	50	3.0	5.0