样品温度对CF3+与Si表面相互作用影响的分子动力学模拟

• 作者: A.Bogaerts 吕晓丹 宁建平 秦尤敏 苟富君 贺平逆 赵成利
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 分子动力学 等离子体 刻蚀 样品温度
• 年，卷（期）: 2010,（10）
• 页码范围: 7225-7231
• 分类号: O4
• 语种: 中文

摘要

利用分子动力学模拟方法研究了不同温度下CFx层对CF+3刻蚀Si表面过程的影响.由模拟数据可知,温度对C和F的沉积有显著的影响;通过提高样品的温度,物理刻蚀得到了加强,而化学刻蚀被减弱.同时,随着温度的升高,Si的刻蚀率相应增加.刻蚀产物中的SiF,SiF2的量随温度的增加而增加,SiF3的量与基体温度没有直接的关系.Si刻蚀率的增加主要是通过提高SiF,SiF2从表面脱离的量得以实现的.通过比较发现CF+3在Si表面的沉积对后续的刻蚀过程产生了巨大的影响,具体表现为大大增加了Si的刻蚀率,减弱了Si的化学刻蚀机理.