激发频率对高氢稀释下纳米晶硅薄膜生长特性的影响

• 作者: 丁宏林 宋捷 王祥 郭艳青 黄锐
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 等离子体增强化学气相沉积 高氢稀释 纳米晶硅
• 年，卷（期）: 2010,（10）
• 页码范围: 7378-7382
• 分类号: O4
• 语种: 中文

摘要

利用等离子体增强化学气相沉积技术,在高氢稀释条件下,研究不同激发频率对纳米晶硅薄膜生长特性的影响.剖面透射电子显微镜(TEM)分析结果显示,不同激发频率下制备的纳米晶硅薄膜晶化区均呈锥状结构生长,但13.56 MHz激发频率下制备的纳米晶硅薄膜最初生长阶段存在非晶态孵化层,即纳米晶硅薄膜的形成经历了由非晶态孵化层到晶态结构层的转变.而高激发频率(40.68 MHz)下硅纳米晶则能直接在非晶态衬底上生长形成.Raman谱和红外吸收谱测量结果表明高激发频率(40.68 MHz)下制备的纳米晶硅薄膜不但具有较高的晶化率,而且具有较低的氢含量和较小的微结构因子.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王祥	韩山师范学院物理与电子工程系	9	14	2.0	3.0
2	黄锐	韩山师范学院物理与电子工程系	9	7	2.0	2.0
3	郭艳青	韩山师范学院物理与电子工程系	9	12	2.0	3.0
4	宋捷	韩山师范学院物理与电子工程系	9	7	2.0	2.0
5	丁宏林	韩山师范学院物理与电子工程系	2	2	1.0	1.0