增强型AlGaN/CaN高电子迁移率晶体管高温退火研究

• 作者: 全思 张进城 毛维 王冲 郝跃 马晓华
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 高电子迁移率晶体管 AlGaN/GaN 增强型器件
• 年，卷（期）: 2010,（10）
• 页码范围: 7333-7337
• 分类号: O4
• 语种: 中文

摘要

深入研究了两种增强型.AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)高温退火前后的直流特性变化.槽栅增强型AlGaN/GaN HEMT在500℃N,中退火5 min后,阈值电压由0.12 V正向移动到0.57 V,器件Schottky反向栅漏电流减小一个数量级.F注入增强型AlGaN/GaN HEMT在400℃N2中退火2 min后,器件阈值电压由0.23 V负向移动到-0.69 V,栅泄漏电流明显增大.槽栅增强型器件退火过程中Schottky有效势垒提高,增强了栅对沟道载流子的耗尽能力,使器件阈值电压正方向移动,同时降低了栅反向漏电流,而且使得栅能工作在更高能的正向栅压下.F注入增强型器件在退火后由于F离子对二维电子气的耗尽作用在退火后减弱,造成阈值电压负方向移动;F注入对势垒的提高作用在退火后有所减弱,引起了Schottky泄漏电流明显增大.退火后F注入增强型器件的沟道电子迁移率得到明显恢复.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张进城	宽禁带半导体材科与器件重点实验室西安电子科技大学微电子学院	3	10	2.0	3.0
2	郝跃	宽禁带半导体材科与器件重点实验室西安电子科技大学微电子学院	9	37	4.0	5.0
3	马晓华	宽禁带半导体材科与器件重点实验室西安电子科技大学微电子学院	2	9	2.0	2.0
4	王冲	宽禁带半导体材科与器件重点实验室西安电子科技大学微电子学院	2	6	1.0	2.0
5	全思	宽禁带半导体材科与器件重点实验室西安电子科技大学微电子学院	1	5	1.0	1.0