强流脉冲电子束作用下金属纯Cu的微观结构状态——空位簇缺陷及表面微孔结构

• 作者: 关庆丰 彭冬晋 李艳 王雪涛 程秀围 邱冬华 顾倩倩
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 强流脉冲电子束 多晶铜 空位簇缺陷 微孔
• 年，卷（期）: 2010,（10）
• 页码范围: 7252-7257
• 分类号: O4
• 语种: 中文

摘要

利用强流脉冲(HCPEB)电子束技术对多晶纯Cu进行了辐照处理,并利用透射电镜对HCPEB诱发的空位簇缺陷进行了表征.实验结果表明,HCPEP辐照金属可在纯Cu表层诱发大量的过饱和空位,并形成四方形空位胞及空位型位错圈和堆垛层错四面体(SFT),HCPEB瞬间的加热和冷却诱发的幅值极大的应力和极高的应变导致的整个原子平面的位移是空位簇缺陷形成的主要原因.此外,扫描电镜分析表明HCPEB辐照可以在纯Cu表面形成高密度、弥散分布和尺寸细小的微孔.过饱和空位或空位团簇沿晶体缺陷向表面扩散、凝聚是表面微孔形成的根本原因.这表明HCPEB技术有可能成为一种快速制备金属表面多孔材料的新方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	关庆丰	江苏大学材料科学与工程学院	60	362	11.0	15.0
2	李艳	江苏大学材料科学与工程学院	13	87	5.0	9.0
3	王雪涛	江苏大学材料科学与工程学院	6	81	5.0	6.0
4	邱冬华	江苏大学材料科学与工程学院	5	67	4.0	5.0
5	程秀围	江苏大学材料科学与工程学院	4	63	4.0	4.0
6	彭冬晋	江苏大学材料科学与工程学院	5	40	3.0	5.0
7	顾倩倩	江苏大学材料科学与工程学院	5	44	4.0	5.0