CdTe太阳电池中起因于Cu的深能级

• 作者: 冯良桓 张东廷 张静全 曾广根 李卫 武莉莉 王钊 蔡亚平 郑家贵 郑旭 雷智 黎兵
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 深能级瞬态谱 第一性原理 CdTe Cu杂质
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 2783-2788
• 分类号: TM91
• 语种: 中文

摘要

在CdTe太阳电池中,易引入并形成Cu深能级中心.本文采用深能级瞬态谱测试法研究了ZnTe背接触和石墨背接触CdTe太阳电池的部分深能级中心.研究中运用密度泛函相关理论,分析闪锌矿结构CdTe,Cd空位体系和掺Cu体系的电子态密度,计算得出T_d场和C_(3v)场下Cu~(2+)d轨道的分裂情况.计算结果表明,CdTe太阳电池中的E_v+0.206eV和E_v+0.122 eV两个深中心来源于Cu替代Cd原子.计算结果还表明,掺入Cu可降低CdTe体系能量.