用镍硅氧化物源横向诱导晶化的多晶硅薄膜

• 作者: 刘召军 吴春亚 孟志国 熊绍珍 赵淑云 郭海成
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 化学
• 关键词: 自缓释 金属诱导横向晶化 多晶硅薄膜 低温制备与退火
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 2775-2782
• 分类号: O6
• 语种: 中文

摘要

采用磁控溅射法,以镍硅合金为靶,制备了一种适用于金属诱导横向晶化的氧化物镍源--自缓释镍源.该镍源在内部构成和晶化现象上都不同于纯金属镍源.采用该镍源制备低温多晶硅材料,晶化速率不明显依赖于镍源薄膜的厚度,且晶化多晶硅膜内的残余镍量亦可有效降低,可为薄膜晶体管提供宽的工艺窗口.本文对用纯金属镍源所得多晶硅薄膜的晶化率、表面粗糙度、电学特性等与溅射条件的关系进行了研究,并对相应结果进行了讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	熊绍珍	南开大学信息学院光电子薄膜器件与技术研究所	63	380	12.0	18.0
2	吴春亚	南开大学信息学院光电子薄膜器件与技术研究所	26	305	9.0	17.0
3	郭海成	香港科技大学电子及计算机工程系	39	191	7.0	11.0
4	孟志国	南开大学信息学院光电子薄膜器件与技术研究所	26	145	6.0	11.0
5	赵淑云	香港科技大学电子及计算机工程系	6	7	1.0	1.0
6	刘召军	南开大学信息学院光电子薄膜器件与技术研究所	4	4	1.0	1.0